Статью новочеркасских ученых-физиков опубликовали в международном научном журнале - DONTR.RU

Ученые с кафедры «Физика и фотоника» новочеркасского ЮРГПУ НПИ им. Платова опубликовали результаты своих полуторагодовых исследований в международном журнале «Silicon». Статья носит название «Влияние анизотропии кремния на устойчивость термомиграции линейных зон».

Как сообщили в пресс-службе университета, деятели науки выявили новые виды неустойчивостей, связанные с анизотропией кристалла кремния. Под руководством заведующего кафедрой Б.М. Середина работали над материалом Виктор Попов, Александр Малибашев, Игорь Гаврус, Сергей Логанчук и представитель столичного Технологического института сверхтвердых и новых углеродных материалов Сергей Мартюшов. Ознакомиться со статьей политехников можно по ссылке.

Комментировать

Спасибо за ваш комментарий

Отправить